Translation examples
Tunnettuja puolijohdemateriaaleja ovat silikoni (Si), germanium (Ge), galliumarsenidi (GaAs), metallioksidit (esim. TiO2) ja eräät orgaaniset yhdisteet.
Well-known semiconducting materials are silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), metal oxides (e.g. TiO2) and some organic compounds.
Vuonna puolijohdemateriaalit kuten galliumarsenidi, spin-rata kytkimen vuorovaikutus elektronin spin ja sen lineaarisen liikkeen materiaalia.
In semiconductor materials such as gallium arsenide, spin-orbit coupling is an interaction between an electron's spin and its linear motion in a material.
Laser-muotit on tyypillisesti rakennettu galliumarsenidi (GaAs) -alustoille käyttämällä prosesseja, kuten molekyylikaijapitsia tai metalli-orgaanista kemiallista höyryä.
Laser dies are typically built on gallium arsenide (GaAs) substrates using processes such as molecular-beam epitaxy or metal-organic chemical-vapor deposition.
Volframikuparilla ei ole vain hyvä johtavuus, mutta sillä on myös samanlainen laajenemiskerroin piin (Si), galliumarsenidin (GaAs) ja keramiikan kanssa.
Tungsten copper not only has good conductivity, but also has similar coefficient of expansion with silicon (Si), gallium arsenide (GaAs) and ceramics.
Painettu galliumarsenidi germanium aurinkokenno osoitti 40,7% hyötysuhde, kahdeksan kertaa, että paras orgaanisen solut, lähestyy paras suorituskyky kiteisen piin.
A printed gallium arsenide germanium solar cell demonstrated 40.7% conversion efficiency, eight times that of the best organic cells, approaching the best performance of crystalline silicon.
Valitettavasti monet sähköisesti paremmat puolijohdemateriaalit eivät kuitenkaan muodosta hyviä eriste-oksideja (esim. galliumarsenidi) eivätkä näin ole soveliaita MOSFETien tekoon.
Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties than silicon, such as gallium arsenide, do not form good semiconductor-to-insulator interfaces, thus are not suitable for MOSFETs.
Valitettavasti monet sähköisesti paremmat puolijohdemateriaalit eivät kuitenkaan muodosta hyviä eristeoksideja (esim. galliumarsenidi) eivätkä näin ole soveliaita MOSFETien valmistukseen.
Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties than silicon, such as gallium arsenide, do not form good semiconductor-to-insulator interfaces, and thus are not suitable for MOSFETs.
Tämäntyyppistä seosta käytetään, koska sen lämpölaajenemisnopeus vastaa piin, keramiikan ja galliumarsenidin arvoa, jotka kaikki käytetään puolijohdepiirien muodostamiseen.
This type of alloy is used because its thermal expansion rate matches that of silicon, ceramics and gallium arsenide, all of which are used to make circuits for semiconductors.
Yhtiö valmistaa ja kehittää Galliumnitridi (GaN) ja Galliumarsenidi (GaAs) puolijohteita käytettäväksi korkean energian laitteissa kuten tutkajärjestelmissä.
The company manufactures wafers of gallium arsenide (GaAs) and gallium nitride (GaN) for developing and manufacturing compound semiconductor systems.
Pii (Si), galliumarsenidi (GaAs), indiumfosfidi (InP) ja galliumnitridi (GaN) ovat niistä tärkeimmät.
IQE specialises in advanced silicon and compound semiconductor materials based on gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), gallium nitride (GaN) and silicon.
Sellaisia yhdisteitä kuten galliumarsenidi kasvatetaan tavallisesti siten, että alkuaineita gallium ja arseeni suihkutetaan vuoron perään toistuvasti atomikerros kerrallaan, jolloin prosessi on välillä fysikaalinen ja välillä kemiallinen.
Compounds such as gallium arsenide are usually deposited by repeatedly applying a layer of one element (i.e., gallium), then a layer of the other (i.e., arsenic), so that the process is chemical, as well as physical; this is known also as atomic layer deposition.
Massa: 3 200 kg Sähköteho: Viiden kilowatin galliumarsenidi-aurinkokennot Vara-akut: Kaksi noin 4 800 wattitunnin litiumioniakkua Käyttöikä: 15 vuotta SES-8 laukaistiin seitsemännellä Falcon 9 -raketilla, ja laukaisu oli päivitetyn v1.1-version toinen ja ensimmäinen geostationaariselle radalle.
Payload mass: 3,200 kilograms (7,100 lb) Electrical power: 5 kW, using Gallium Arsenide solar panels, and two 4,850 watt-hours (17,500 kJ) lithium ion storage batteries Battery backup: 4800 Watt-hour lithium-ion battery Service life: 15 years The launch of SES-8 was the seventh launch of the Falcon 9 launch vehicle, and the second launch of the Falcon 9 v1.1.
How many English words do you know?
Test your English vocabulary size, and measure how many words you know.
Online Test