Translation for "gallium arsenide" to finnish

Gallium arsenide

• galliumarsenidi
• gallium -arsenidi

Translation examples

galliumarsenidi

Well-known semiconducting materials are silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), metal oxides (e.g. TiO2) and some organic compounds.
Tunnettuja puolijohdemateriaaleja ovat silikoni (Si), germanium (Ge), galliumarsenidi (GaAs), metallioksidit (esim. TiO2) ja eräät orgaaniset yhdisteet.

In semiconductor materials such as gallium arsenide, spin-orbit coupling is an interaction between an electron's spin and its linear motion in a material.
Vuonna puolijohdemateriaalit kuten galliumarsenidi, spin-rata kytkimen vuorovaikutus elektronin spin ja sen lineaarisen liikkeen materiaalia.

Laser dies are typically built on gallium arsenide (GaAs) substrates using processes such as molecular-beam epitaxy or metal-organic chemical-vapor deposition.
Laser-muotit on tyypillisesti rakennettu galliumarsenidi (GaAs) -alustoille käyttämällä prosesseja, kuten molekyylikaijapitsia tai metalli-orgaanista kemiallista höyryä.

Tungsten copper not only has good conductivity, but also has similar coefficient of expansion with silicon (Si), gallium arsenide (GaAs) and ceramics.
Volframikuparilla ei ole vain hyvä johtavuus, mutta sillä on myös samanlainen laajenemiskerroin piin (Si), galliumarsenidin (GaAs) ja keramiikan kanssa.

A printed gallium arsenide germanium solar cell demonstrated 40.7% conversion efficiency, eight times that of the best organic cells, approaching the best performance of crystalline silicon.
Painettu galliumarsenidi germanium aurinkokenno osoitti 40,7% hyötysuhde, kahdeksan kertaa, että paras orgaanisen solut, lähestyy paras suorituskyky kiteisen piin.

Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties than silicon, such as gallium arsenide, do not form good semiconductor-to-insulator interfaces, thus are not suitable for MOSFETs.
Valitettavasti monet sähköisesti paremmat puolijohdemateriaalit eivät kuitenkaan muodosta hyviä eriste-oksideja (esim. galliumarsenidi) eivätkä näin ole soveliaita MOSFETien tekoon.

Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties than silicon, such as gallium arsenide, do not form good semiconductor-to-insulator interfaces, and thus are not suitable for MOSFETs.
Valitettavasti monet sähköisesti paremmat puolijohdemateriaalit eivät kuitenkaan muodosta hyviä eristeoksideja (esim. galliumarsenidi) eivätkä näin ole soveliaita MOSFETien valmistukseen.

This type of alloy is used because its thermal expansion rate matches that of silicon, ceramics and gallium arsenide, all of which are used to make circuits for semiconductors.
Tämäntyyppistä seosta käytetään, koska sen lämpölaajenemisnopeus vastaa piin, keramiikan ja galliumarsenidin arvoa, jotka kaikki käytetään puolijohdepiirien muodostamiseen.

The company manufactures wafers of gallium arsenide (GaAs) and gallium nitride (GaN) for developing and manufacturing compound semiconductor systems.
Yhtiö valmistaa ja kehittää Galliumnitridi (GaN) ja Galliumarsenidi (GaAs) puolijohteita käytettäväksi korkean energian laitteissa kuten tutkajärjestelmissä.

IQE specialises in advanced silicon and compound semiconductor materials based on gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), gallium nitride (GaN) and silicon.
Pii (Si), galliumarsenidi (GaAs), indiumfosfidi (InP) ja galliumnitridi (GaN) ovat niistä tärkeimmät.

Compounds such as gallium arsenide are usually deposited by repeatedly applying a layer of one element (i.e., gallium), then a layer of the other (i.e., arsenic), so that the process is chemical, as well as physical; this is known also as atomic layer deposition.
Sellaisia yhdisteitä kuten galliumarsenidi kasvatetaan tavallisesti siten, että alkuaineita gallium ja arseeni suihkutetaan vuoron perään toistuvasti atomikerros kerrallaan, jolloin prosessi on välillä fysikaalinen ja välillä kemiallinen.

Payload mass: 3,200 kilograms (7,100 lb) Electrical power: 5 kW, using Gallium Arsenide solar panels, and two 4,850 watt-hours (17,500 kJ) lithium ion storage batteries Battery backup: 4800 Watt-hour lithium-ion battery Service life: 15 years The launch of SES-8 was the seventh launch of the Falcon 9 launch vehicle, and the second launch of the Falcon 9 v1.1.
Massa: 3 200 kg Sähköteho: Viiden kilowatin galliumarsenidi-aurinkokennot Vara-akut: Kaksi noin 4 800 wattitunnin litiumioniakkua Käyttöikä: 15 vuotta SES-8 laukaistiin seitsemännellä Falcon 9 -raketilla, ja laukaisu oli päivitetyn v1.1-version toinen ja ensimmäinen geostationaariselle radalle.

gallium -arsenidi

Well, if we talk about efficiency, why not use gallium arsenide for our solar cells?
Hmm, jos puhutaan tehokkuudesta, miksi emme käyttäisi aurinkokennoissa gallium-arsenidia?

High thermal conductivity and heat resistance tungsten copper alloy greatly improved the use of power microelectronic devices, the device size; and a suitable coefficient of thermal expansion may be silicon microelectronic devices, gallium arsenide and other semiconductor materials and ceramic materials very useful good match link, to avoid thermal fatigue damage caused by thermal stress; these unique combination of properties makes tungsten copper alloy sheet in LSI and high-power electronic devices as electronic packaging and thermal deposition materials have been widely used.
Korkea lämmönjohtavuus ja lämmönkestävyys volframi-kupariseos paransivat suuresti tehoelektronisten laitteiden käyttöä, laitteen kokoa; Ja sopiva lämpölaajenemiskerroin voivat olla pii-mikroelektroniikkalaitteet, gallium- arsenidi ja muut puolijohdemateriaalit ja keraamiset materiaalit, erittäin hyödyllinen hyvät linkit, lämpöjännityksen aiheuttamien lämpövoimavarojen välttämiseksi; Nämä ainutlaatuiset ominaisuuksien yhdistelmät tekevät volframia sisältävästä kupariseoslevystä LSI: ssä ja suuritehoisissa elektroniikkalaitteissa, koska elektronisia pakkauksia ja lämpösumutusmateriaaleja on käytetty laajalti. Volframi kuparilevyn sintrausmenetelmä