Translation for "substraatit" to english

Substraatit

• substrates

Translation examples

substrates

Molekyyliä, johon entsyymin toiminta kohdistuu, kutsutaan substraatiksi.
The molecules bound and acted upon by enzymes are called substrates.

Entsyymin reaktionopeuden kasvu hidastuu, koska Vmax tilassa substraattia on niin paljon, että kaikki entsyymit ovat substraattia sitovassa tilassa (ES), eikä vapaata entsyymiä (E) ole jäljellä sitomaan ylimääräistä substraattia (S).
The rate of enzymatic reaction increases with the increase of the substrate concentration up to a certain level called Vmax; at Vmax, increase in substrate concentration does not cause any increase in reaction rate as there no more enzyme (E) available for reacting with substrate (S).

Tyypillisessä CVD-prosessissa pinnoitettava kappale, jota sanotaan substraatiksi, altistetaan yhdelle tai useammalle kaasumaiselle lähtöaineelle, jotka reagoivat tai hajoavat substraatin pinnalla muodostaen halutun kalvon.
In typical CVD, the wafer (substrate) is exposed to one or more volatile precursors, which react and/or decompose on the substrate surface to produce the desired deposit.

Entsyymikinetiikassa tutkitaan, kuinka entsyymit kiinnittyvät substraattiin ja kuinka ne tuottavat tuotettaan.
Enzyme kinetics is the investigation of how enzymes bind substrates and turn them into products.

Laktoperoksidaasi on entsyymi, joka hapettaa useita inorgaanisia ja orgaanisia substraatteja vetyperoksidin avulla.
Lactoperoxidase catalyzes the oxidation of a number of inorganic and organic substrates by hydrogen peroxide.

RPECVD (Remote plasma-enhanced CVD) – Kuten PECVD, mutta substraatti ei sijaitse itse plasman muodostumisalueella.
Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD) – Similar to PECVD except that the wafer substrate is not directly in the plasma discharge region.

RTCVD (Rapid thermal CVD] – CVD-prosessi, jossa hyödynnetään lämpölamppuja tai jotakin muuta menetelmää substraatin nopeaksi lämmittämiseksi.
Rapid thermal CVD (RTCVD) – This CVD process uses heating lamps or other methods to rapidly heat the wafer substrate.

Tässä menetelmässä kiekon pintaa pommitetaan korkeaenergiaisilla jalokaasujen, usein argonin ioneilla, jotka iskevät atomeja irti substraatista liikevoimallaan.
It bombards the wafer with energetic ions of noble gases, often Ar+, which knock atoms from the substrate by transferring momentum.

Molekyylisuihkuepitaksissa (MBE) jonkin alkuaineen hidas virta kohdistetaan substraattiin siten että pintaan kasvaa kalvoa atomikerroksittain.
In molecular beam epitaxy (MBE), slow streams of an element can be directed at the substrate, so that material deposits one atomic layer at a time.