Translation examples
Poiketen tuhansista muista tutkijoista, Nakamura valitsi materiaalikseen galliumnitridin (GaN).
Unlike thousands of other researchers, Nakamura decided to work with gallium nitride (GaN).
RFMD: n infrastruktuurin etenemissuunnitelma sisältää myös galliumnitridin (GaN) suuritehoisten transistorien ja laajakaistavahvistimien kaupallistamisen.
RFMD’s infrastructure roadmap also includes the commercialization of gallium nitride (GaN) High Power Transistors and Broadband Amplifiers.
Yksi lupaavimmista on ammonoterminen menetelmä, jossa galliumnitridi valmistetaan nestemäisellä ammoniakilla täytetyssä reaktorissa.
One of the most promising production methods of gallium nitride is the ammonothermal method which uses a reactor filled up with liquid ammonia.
Amanon rooli oli erityisen merkittävä sinisessä ledissä käytettävän puolijohdemateriaalin, galliumnitridin, valmistusmenetelmien kehittämisessä 1980-luvulla.
Amano's role was especially significant in the 1980s in the development of production methods of gallium nitride, a semiconductor used in blue LEDs.
Tilaukseen sisältyy kaksi CRIUS II laskeuman järjestelmät ja kun toimitetaan vuoden 2010 viimeisellä neljänneksellä niitä käytetään galliumnitridi (GaN) kirkkaita LED tuotantoa.
After delivery of the systems between the fourth quarter 2010 and the second quarter 2011, they will be used for gallium nitride (GaN) green and blue LED production.
Professori Liu Gang, General Manager Tongfang Opto kommentoi: "Yhtiömme haluaa suorittaa suuri tuotantokapasiteetti kasvaa meidän kirkkaita sinisiä galliumnitridi LED laitteita.
Prof. Liu Gang, General Manager of Tongfang Opto, comments, “Our company is seeking to carry out a major production capacity increase for our high-brightness blue gallium nitride LED devices.
Nämä uudet anturit, rakennettu käyttäen samaa valmistusprosesseihin, joita käytetään yleisesti pii tietokoneiden sirut, toimivat samoilla perusperiaate, mutta paljon pienemmässä mittakaavassa: galliumnitridin johdot ovat alle 500 nanometriä poikki ja halkaisijaltaan alle 10 mikrometrin pituisia .
These new sensors, built using the same fabrication processes that are commonly used for silicon computer chips, operate using the same basic principle, but on a much smaller scale: the gallium nitride wires are less than 500 nanometers across and less than 10 micrometers in length.
Suunniteltu kirkas valoa lähettävä diodi (HBLED) valmistajat, Candela 8620 tarjoaa automatisoituja vika tarkastus LED materiaalien kuten galliumnitridi, safiiri, ja piikarbidi-avulla parantaa laadunvalvontaa sekä läpinäkymätön ja läpinäkyvä alustoille, nopeammasta-root aiheuttaa, ja parantaa metalliorgaanista CVD (MOCVD) reaktori käytettävyys ja tuottoa.
Designed for high brightness light emitting diode (HBLED) manufacturers, the Candela 8620 provides automated defect inspection for LED materials such as gallium nitride, sapphire, and silicon carbide—enabling enhanced quality control of both opaque and transparent substrates, faster time-to-root cause, and improved Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) reactor uptime and yield.
Pii (Si), galliumarsenidi (GaAs), indiumfosfidi (InP) ja galliumnitridi (GaN) ovat niistä tärkeimmät.
IQE specialises in advanced silicon and compound semiconductor materials based on gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), gallium nitride (GaN) and silicon.
Yhtiö valmistaa ja kehittää Galliumnitridi (GaN) ja Galliumarsenidi (GaAs) puolijohteita käytettäväksi korkean energian laitteissa kuten tutkajärjestelmissä.
The company manufactures wafers of gallium arsenide (GaAs) and gallium nitride (GaN) for developing and manufacturing compound semiconductor systems.
How many English words do you know?
Test your English vocabulary size, and measure how many words you know.
Online Test