Translation for "mosfets" to finnish

Mosfets

• mosfetit

Translation examples

mosfetit

TUF New Alloy Chokes: 13.6% cooler for extra-unbeatable durability TUF MOSFETs: military-grade certified MOSFETs with lower RDS(on)*
TUF New Alloy Chokes –kuristimet: 13.6% viileämpi lyömättömän kestävyyden takaamiseksi TUF MOSFETit: Armeijatasoiseksi todistetut MOSFETit matalammilla RDS:llä*

To maintain performance, the threshold voltage of the MOSFET has to be reduced as well.
Jotta piirillä on suorituskykyä, MOSFETin kynnysjännitettä pitää myös alentaa.

Included in the package are the switching controller, power MOSFETs, inductor, filters, and support components.
Pakettiin sisältyvät kytkentäohjain, teho MOSFETit, induktorit, suodattimet ja tukiosat.

*Low RDS means more power efficient and will thus produce slightly less heat as a by-product of the MOSFET
*Matala RDS tarkoittaa tehokkaampaa virrankäyttöä, mikä tuottaa hieman vähemmän lämpöä MOSFETin sivutuotteena

X *Low RDS means more power efficient and will thus produce slightly less heat as a by-product of the MOSFET
X *Matala RDS tarkoittaa tehokkaampaa virrankäyttöä ja tuottaa siten hieman vähemmän lämpöä ollessaan MOSFETin sivutuotteena

The Dr. MOS is a proven stable circuit integrated MOSFET, which can optimize the switching performance and contribute the efficiency to the system.
Dr. MOS on todistetusti vakaa virtapiiri integroidulla MOSFETilla, joka voi optimoida vaihtosuorituksen ja johtaa järjestelmän parempaan tehokkuuteen.

Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties than silicon, such as gallium arsenide, do not form good semiconductor-to-insulator interfaces, and thus are not suitable for MOSFETs.
Valitettavasti monet sähköisesti paremmat puolijohdemateriaalit eivät kuitenkaan muodosta hyviä eristeoksideja (esim. galliumarsenidi) eivätkä näin ole soveliaita MOSFETien valmistukseen.

Unfortunately, many semiconductors with better electrical properties than silicon, such as gallium arsenide, do not form good semiconductor-to-insulator interfaces, thus are not suitable for MOSFETs.
Valitettavasti monet sähköisesti paremmat puolijohdemateriaalit eivät kuitenkaan muodosta hyviä eriste-oksideja (esim. galliumarsenidi) eivätkä näin ole soveliaita MOSFETien tekoon.

Electro-Films (EFI) / Vishay- Vishay’s product portfolio is an unmatched collection of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and optoelectronics) and passive components (resistors, inductors, and capacitors).
Electro-Films (EFI) / Vishay- Vishayn tuotevalikoima on erinomainen diskreetti puolijohteiden (diodit, MOSFETit ja optoelektroniikka) ja passiiviset komponentit (vastukset, induktorit ja kondensaattorit).

Power MOSFETs are at risk of thermal runaway.
Teho-MOSFETeillä on vaarana ns. terminen karkaus.

Heat production The ever-increasing density of MOSFETs on an integrated circuit creates problems of substantial localized heat generation that can impair circuit operation.
MOSFETien alati kasvava tiheys tuottaa ongelmia huomattavan paikallisen lämmönmuodostuksen muodossa, mikä saattaa haitata piirien toimintaa.

Producing MOSFETs with channel lengths much smaller than a micrometre is a challenge, and the difficulties of semiconductor device fabrication are always a limiting factor in advancing integrated circuit technology.
MOSFETien teko siten, että kanavan pituus on alle mikrometrin on erittäin haastavaa ja puolijohteiden valmistusteknologian vaikeudet ovat rajoittavana tekijänä.