Translation for "igbt's" to finnish

Igbt's

• igbt
• igbt: t

Translation examples

igbt

The main disadvantage of IGBT inverters is high cost.
IGBT-taajuusmuuttajien suurin haitta on korkeat kustannukset.

IGBT is a bipolar transistor with an insulated gate electrode.
IGBT-lyhenne muodostuu sanoista Insulated Gate Bipolar Transistor.

There were two main things: microprocessors and IGBT technology.
Siinä oli kaksi isoa asiaa: mikroprosessorit ja IGBT-transistoritekniikka.

PCIM: UK-based Amantys develops next generation IGBT gate drive Featured Manufacturers
PCIM: UK-pohjainen Amantys kehittää seuraavan sukupolven IGBT-porttitoiminnon

Thanks to the semiconductor IGBT technology, the efficiency of the device is 98-99%.
Puolijohde-IGBT-tekniikan ansiosta laitteen tehokkuus on 98-99%.

David Smith, Senior Vice President of USComponent.com, an IGBT power transistor module distributor since 2001.
David Smith, johtaja USComponent.com, IGBT teho transistori moduuli jakelija vuodesta 2001.

Distributors of Electronics Components Products, World's Largest Selection of Integrated circuit, Memory Chips,Transistor Diode and IGBT Modules.
Electronics Components -tuotteiden jälleenmyyjät, maailman suurin integroitu piiri, muistipiirit, transistoriodiodi ja IGBT-moduulit.

When we hit the SGTC firearm removed, replaced with a MOSFET or IGBT to replace, and in reverse parallel with a diode in the D and S poles (if you are IGBT,
Kun me osuma SGTC aseen poistettu, korvattu MOSFET tai IGBT korvata, ja käänteisessä rinnakkain diodi D ja S-navat (jos olet IGBT, että on, C ja E pole pole) päälle, ja solid-state-piiri valvoa kytkin, yhdistettynä matalan jännitteen ajaa, se tulee OLTC.

The serial-compensated systems include three-phase diode rectifiers, as well as rugged IGBT transistors that are virtually short-circuit proof.
Sarjakompensoiduissa järjestelmissä on kolmivaiheiset dioditasasuuntaajat sekä kestävät IGBT-transistorit, jotka ovat lähes täydellisesti oikosulkusuojattuja.

Circuit group by the trigger diode –IGBT tubes instead of traditional spark gap working to achieve the purpose of eliminating ignition noise.
Circuit ryhmän laukaista diodi -IGBT putket sijasta perinteisen kipinävälin työskentelevät saavuttaa tarkoituksena poistaa syttymisen melua.

Unlike the insulated gate bipolar transistor (IGBT), the GTO thyristor requires external devices ("snubber circuits") to shape the turn on and turn off currents to prevent device destruction.
Toisin kuin eristehilatransistoreissa (IGBT), hilalta sammutettava tyristori vaatii ulkoisia kojeita (virtapiirin vaimentimia) muokkaamaan käynnistys- ja sammutusvirtoja ehkäistäkseen kojeen tuhoutumista.