Traduction de "semiconductor devices" à finlandais

Semiconductor devices

• puolijohdekomponenttien
• puolijohdelaitteet

Exemples de traduction

puolijohdekomponenttien

The electronic key role stabilizers operate semiconductor devices - Thyristors or triacs
Elektronisen avainasemassa vakauttajien puolijohdekomponenttien - Thyristors tai triakit

The first group of bimetallic devices include semiconductor devices and psevdobimetallicheskie.
Ensimmäinen ryhmä Bimetallilämpötilarajoittimen laitteita ovat puolijohdekomponenttien ja psevdobimetallicheskie.

Photosensitive semiconductor devices (excl. photodiodes, phototransistors, photothyristors, photocouples and solar cells)
Valolle herkät puolijohdekomponentit (paitsi valodiodit, -transistorit, -tyristorit, optoeristimet ja aurinkokennot)

Dielectric industrial or laboratory furnaces and ovens, for the manufacture of semiconductor devices on semiconductor wafers
Teollisuudessa tai laboratorioissa käytettävät uunit, puolijohdepiikiekkoille asennettujen puolijohdekomponenttien valmistukseen tarkoitetut

8541000000 80 (9/0): Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, including photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels; light-emitting diodes (LED); mounted piezoelectric crystals
8541000000 80 (9/0): Diodit, transistorit ja niiden kaltaiset puolijohdekomponentit; valolle herkät puolijohdekomponentit, mukaan lukien fotojännitekennot, myös jos ne on koottu moduuleiksi tai paneeleiksi; valodiodit (LED); asennetut pietsosähköiset kiteet

A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and electrical power.
Transistori on puolijohdekomponentti, joka täydentää ja sähköiset signaalit ja virtaa. Transistorit

It was so before the emergence of semiconductor devices - Triac and dynistor on which dimmers work.
Se oli niin ennen syntymistä puolijohdekomponenttien - Triac ja dynistor joihin himmentimet työtä.

It is also widely used in chip carriers, substrates, flanges, and frames for power semiconductor devices.
Se on myös laajalti käytetty siru harjoittajien, alustoille, laipat, ja kehykset tehon puolijohdekomponenttien.

However, when manufacturing semiconductor devices, processing equipment that has high pressure tolerance and zero defect production is critical.
Puolijohdekomponenttien valmistamisessa kuitenkin on kriittinen käsittelylaitteisto, jolla on korkea paineen toleranssi ja nollavirheen tuotanto.

Semiconductor devices of the near future will measure in terms of billionths of a meter for example, 8, 11 or 16 nm.
Puolijohdekomponenttien ja lähitulevaisuudessa mitata kannalta miljardisosaa metriä esimerkiksi, 8, 11 tai 16 nm.

Diodes are electrical semiconductor devices that allow electric current flow in one direction more than the other.
Diodit ovat puolijohdekomponentteja, jotka päästävät virtaa vain toiseen suuntaan.

Semiconductor devices can display a range of useful properties such as passing current more easily in one direction than the other, showing variable resistance, and sensitivity to light or heat.
Puolijohdekomponenteilla on joukko hyödyllisiä ominaisuuksia, kuten sähkövirran päästäminen läpi helpommin toiseen suuntaan, muutettavissa oleva virranvastus ja mahdollisuus vaikuttaa niiden ominaisuuksiin valolla ja lämmöllä.

puolijohdelaitteet

A Taiwan-based producer and seller of semiconductor devices.
Taiwanilainen puolijohdelaitteiden valmistaja ja myyjä.

Hewlett-Packard's HP Associates division, established around 1960, developed semiconductor devices primarily for internal use.
Hewlett-Packardin vuoden 1960 tienoilla perustettu HP Associates -osasto kehitti puolijohdelaitteita pääasiassa yhtiön sisäistä käyttöä varten.

A photocell, or, as it is popularly known, a solar battery, is a semiconductor device that has the property of converting light
Valokenno tai, kuten on tunnettua, aurinkopatteri on puolijohdelaite, jolla on ominaisuus muuntaa valoa energia sähköllä.

Research is conducted in fields such as optoelectronics, nanoscience, materials science, semiconductor devices, ultrafast optics, and statistical mechanics, and forms an integral part of student education.
Tutkimus toteutetaan muun muassa optoelektroniikan, nanotieteen, materiaalitekniikan, puolijohdelaitteiden, ultranopean optiikan ja tilastollisen mekaniikan aloilla, ja se on erottamaton osa opiskelijakoulutusta.

In electronics manufacturing, integrated circuit packaging is the final stage of semiconductor device fabrication, in which the tiny block ofsemiconducting material is encapsulated in a supporting case that prevents physical damage and corrosion.
Integroitu piirin pakkaus Elektroniikan, integroitu piiri pakkaus on viimeinen vaihe puolijohdelaitteen valmistuksen, jossa pieni lohko ofsemiconducting materiaali kapseloidaan tukikotelon joka estää fyysisiä vaurioita ja korroosiota.

In addition to the large number of new materials, the special device is also a static sensitive material, so that the electronic components, especially the semiconductor device, SMT patch processing, assembly and maintenance environment electrostatic control requirements are getting higher and higher.
Suuren määrän uusien materiaalien lisäksi erityislaite on myös staattisesti herkkä materiaali, joten elektroniset komponentit, erityisesti puolijohdelaite, SMT-korjaustiedostojen käsittely, kokoonpano ja ylläpitoympäristö, sähköstaattiset ohjausvaatimukset kasvavat.

Unlike all used to illuminateBacklight devices or plants LED lighting device - it is not light, and solid state semiconductor device which has no fragile glass bulb filled with gas unsafe, and unreliable filament moving elements.
Toisin kaikki käytetään valaisemaanTaustavalo laitteiden tai kasvien LED-valaistus laite - se ei ole valoa, ja kiinteän olomuodon puolijohdelaite, jossa ei ole hauras lasipullo, jossa kaasu vaarallinen, ja epäluotettava hehkulamppuja liikkuvia elementtejä.

With the high rate of heat generation power microwave semiconductor device continued miniaturization of highly integrated, high-power development caused by the existing homogeneous tungsten-copper composite material is difficult to meet the electronic substrate in a good heat dissipation, low coefficient of thermal expansion close two requirements while functionally graded material is considered an effective way to solve this problem.
Kun korkea lämmöntuotanto teho mikroaaltouuni puolijohdelaite edelleen pienentäminen voimakkaasti integroituneita, suuritehoiset kehittämisen aiheuttama nykyisten homogeeninen volframi-kupari- komposiittimateriaalista on vaikea täyttää sähköisen alustan hyvä lämmöntuotto, alhainen lämpölaajenemiskerroin lähellä kaksi vaatimusta samalla toiminnallisesti arkistointi pidetään tehokas tapa ratkaista tämä ongelma.

HP is recognized as the symbolic founder of Silicon Valley, although it did not actively investigate semiconductor devices until a few years after the "traitorous eight" had abandoned William Shockley to create Fairchild Semiconductor in 1957.
HP:ta pidetään Piilaakson symbolisena perustajana, vaikka se ei tutkinut aktiivisesti puolijohdelaitteita ennen Fairchild Semiconductorin perustamista vuonna 1957.